伊藤信之　株式会社東芝　セミコンダクター社　　
　　　　　アナログ・ペリフェラル統括部　通信用アナログLSI担当　参事

著者略歴
1983年　東京理科大学理学部卒業
1985年　同大学大学院理学研究科修士課程修了
1996年　ルーヴェンカソリック大学（ベルギー）工学部電子工学科　客員研究員（2年間）
1985年から株式会社東芝　超LSI研究所、ULSI研究所、マイクロエレクトロニクス研究所を経て、現在に至る

内容項目

第１章　無線機受信機
　１．無線受信機の性能
　　1.1　無線受信機のダイナミックレンジ
　　1.2　受信機の非線形性
　　1.3　受信機の雑音指数
　２．スーパーヘテロダイン受信方式
　３．イメージキャンセルスーパーヘテロダイン受信機
　４．ダイレクトコンバージョン（ホモダイン）受信機
　５．Low-IF受信方式
　６．その他の幾つかのCMOS受信機のための技術

第２章　RF CMOSデバイスの構造と特性
　１．MOSFETの構造と特性
　　1.1　MOSFETの直流特性
　　1.2　MOSFETの高周波特性
　　1.3　MOSFETのアナログ特性
　２．MOSFETとバイポーラトランジスタ
　　2.1　トランスコンダクタンス
　　2.2　遮断周波数
　　2.3　雑音特性
　　2.4　出力容量
　３．RF回路用受動素子
　　3.1　抵抗
　　　3.1.1　拡散層抵抗
　　　3.1.2　ポリシリコン抵抗
　　　3.1.3　金属配線抵抗
　　3.2　コンデンサ
　　　3.2.1　MOSコンデンサ
　　　3.2.2　ポリシリコン-ポリシリコンコンデンサ
　　　3.2.3　メタル-シリサイドコンデンサ
　　　3.2.4　メタル-メタルコンデンサ(1)
　　　3.2.5　メタル-メタルコンデンサ(2)
　　3.3　コイル
　　3.4　バリキャップ
　　　3.4.1　MOS型バリキャップ
　　　3.4.2　ダイオード型バリキャップ

第３章　MOSFETと受動素子の構造とモデル
　１．　CMOSプロセスの構造
　２．　高周波MOSFETモデル
　　2.1　MOSFETの高周波等価回路モデル
　　2.2　高周波回路に最適なspiceモデル
　　2.3　BSIM3を用いたスケーラブルな等価回路モデル
　　　2.3.1　ソース及びドレインの拡散層の面積及び周囲長
　　　2.3.2　ゲート抵抗
　　　2.3.3　ゲート電極-基板寄生容量
　　　2.3.4　チャンネル下のPwell/Nwell抵抗
　　　2.3.5　チャンネル下の基板抵抗（NMOS下のNwell）
　　　2.3.6　ソース及びドレインの拡散層下のPwell/Nwell抵抗
　　　2.3.7　ゲート電極下の基板抵抗
　　　2.3.8　Pwell/Nwell及びNwell/Psubの寄生容量
　　2.4　高周波ノイズモデル
　３．　抵抗モデル
　４．　コンデンサモデル
　５．　コイルモデル
　　5.1　コイルの等価モデルとQ
　　5.2　より詳細なコイルの等価回路
　６．　バリキャップモデル
　７．　パッケージ・保護素子及びパッドモデル
　　7.1　パッケージモデル
　　7.2　保護素子モデル
　　7.3　パッドモデル

第４章　RF CMOSのコア回路
　１．　低雑音増幅器（LNA）
　　1.1　インダクタンス整合LNAの実験例
　　　1.1.1　雑音指数（NF）
　　　1.1.2　利得
　　　1.1.3　入力整合
　　1.2　その他いくつかのLNAの実験例
　２．　高周波混合器（ミキサ）
　３．　電圧制御発振器（VCO）
　　3.1　ミキサの原理
　　3.2　雑音
　　3.3　共振器内蔵電圧制御発振器の実際
　　　3.3.1　仕様
　　　3.3.2　回路形式
　　　3.3.3　パラメータの設定
　　　3.3.4　測定結果
　４．　プリスケーラとPLL
　　4.1　PLLの構成
　　4.2　PLLの雑音解析
　　4.3　プリスケーラ
　　4.4　マルチモジュラスプリスケーラ

第５章　トランシーバチップの実際
　１．　スーパーへテロダイントランシーバ
　２．　イメージキャンセルスーパーヘテロダイントランシーバ
　３．　Low-IFトランシーバ
　４．　BluetoothにおけるCMOSトランシーバの動向
　５．　RF CMOS開発の現状